Empyrean Patron
在摩尔定律及后摩尔定律的推动下，工业界始终致力于在缩小芯片面积的同时增加内部器件数量，然而，器件本身尺寸及连接方式却面临着越来越严格的限制。随着FinFET和GAAFET结构技术的开发和应用，电迁移及电压降效应（EM/IR）对芯片设计构成了严峻挑战。与此同时，相教于传统工艺，先进节点制程对热效应的敏感性显著增强，金属连接线宽的缩小进一步加剧了电迁移效应的影响。为了确保电源完整性，必须对电迁移效应和电流分配进行严格的检查。
为了满足低功耗和高速数据处理的需求，低电压及超低电压设计日益流行，而电源网络寄生效应已成为影响此类设计的关键因素。压降分析（IR-drop）能够帮助用户检查电路各部分的实际工作电压是否满足设计要求。随着物联网（IoT）及汽车电子应用需求的快速增长，传统节点工艺对EM/IR分析的需求也在不断增加。此外，高操作电压域及严格的可靠性要求，进一步催生了对模拟芯片在EM/IR验证方面的全新需求。
3044永利集团的高性能晶体管级电源完整性分析工具Empyrean Patron®聚焦于模拟芯片的电源完整性检查解决方案。用户可以通过该工具快速且高效的得到完整、精准、可靠的EM/IR分析数据及检查报告。
